外延石墨烯 p-n 结中通过 ν = 2 均衡获得的非常规量子化霍尔电阻
介观与纳米尺度物理
2022-01-25 v1
摘要
我们展示了使用简单的紫外光刻技术进行毫米级单层外延石墨烯 p-n 结器件的制造，从而显著减少了器件处理时间，相比之下，通常用于获得陡峭结的电子束光刻则需要更长时间。这项工作呈现的测量结果产生了在 ν=2 时典型量子化霍尔电阻 () 的非常规分数倍值，其形式为：。这里，观察到 和 可以取诸如 1、2、3 和 5 的值，以形成 的各种系数。此外，我们提供了一个框架，使用 LTspice 电路模拟器作为指导，探索未来的器件配置，以理解人们可能能够测量到的丰富可用分数。这些结果支持了大幅简化器件加工时间的潜力，并可用于许多其他二维材料。
引用
@article{arxiv.2201.09791,
title = {Nonconventional Quantized Hall Resistances Obtained with $\nu = 2$ Equilibration in Epitaxial Graphene $p-n$ Junctions},
author = {Albert F. Rigosi and Dinesh Patel and Martina Marzano and Mattias Kruskopf and Heather M. Hill and Hanbyul Jin and Jiuning Hu and Angela R. Hight Walker and Massimo Ortolano and Luca Callegaro and Chi-Te Liang and David B. Newell},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.09791},
year = {2022}
}