少层石墨烯/氮化硼异质结构中的极大磁电阻
材料科学
2015-12-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
理解原子尺度下的磁电阻（外加磁场引起的电阻变化）在基础和技术上都极具意义。石墨烯及其他二维层状材料为探索结构形成初期的磁电阻提供了前所未有的机会。在此，我们报道了少层石墨烯/氮化硼异质结构在400 K下 ~ 2,000% 的极大局域磁电阻，以及在300 K、9 T下 > 90,000% 的非局域磁电阻。局域磁电阻被认为源于垂直磁场下少层石墨烯各层间巨大的输运参数差异，如载流子迁移率；而非局域磁电阻则归因于磁场诱导的埃廷斯豪森-能斯特效应。非局域磁电阻暗示了基于石墨烯的栅极可调热开关的可能性。此外，我们的结果表明石墨烯异质结构在磁场传感应用中具有潜力。
引用
@article{arxiv.1511.08867,
title = {Extremely large magnetoresistance in few-layer graphene/boron-nitride heterostructures},
author = {Kalon Gopinadhan and Young Jun Shin and Rashid Jalil and Thirumalai Venkatesan and Andre K. Geim and Antonio H. Castro Neto and Hyunsoo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08867},
year = {2015}
}