石墨烯中边缘掺杂的自洽模型
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1
摘要
位于纳米结构石墨烯边缘附近的掺杂剂与块体掺杂剂表现不同。最显著的是，转移到离域态的电荷量（即掺杂效率）取决于位置以及边缘手性。我们应用自洽紧束缚模型分析此问题，重点关注取代氮和硼掺杂。利用格林函数技术，可研究非常大的结构，并避免周期重复模拟元胞中掺杂剂之间的人为相互作用。我们在局域杂质态密度中发现边缘的明显特征。重要的是，发现掺杂效率随子晶格位置振荡，特别是针对锯齿形边缘附近的掺杂剂。最后，为评估电子-电子相互作用的影响，我们计算了自能修正的格林函数。
引用
@article{arxiv.1503.00905,
title = {Self-consistent model of edge doping in graphene},
author = {Thomas Garm Pedersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.00905},
year = {2015}
}