石墨烯纳米带中边缘态与简单体缺陷的相互作用
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
我们研究了锯齿形石墨烯纳米带中边缘态与单个杂质之间的相互作用。我们使用紧束缚精确对角化技术以及密度泛函理论计算,获得了本征值谱、本征函数以及局域态密度(LDOS)随能量和位置的变化。我们注意到,有限尺寸纳米带谱中大约一半的无扰动本征态与杂质态发生杂化,相应的本征值相对于其无扰动值发生偏移。最大偏移和杂化发生在能量与杂质势成反比的态上;该能量是DOS谱中杂质峰的能量。我们发现杂质与边缘之间的干涉导致纳米带LDOS的奇特变化,特别是边缘LDOS的振荡。这些效应依赖于系统的大小,并随边缘与杂质之间的距离衰减。
引用
@article{arxiv.1205.5146,
title = {Interplay between edge states and simple bulk defects in graphene nanoribbons},
author = {L. Bilteanu and C. Dutreix and A. Jagannathan and C. Bena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.5146},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 15 figures, revtex4