石墨烯反点晶格中的硼和氮掺杂
介观与纳米尺度物理
2016-07-28 v1
摘要
石墨烯反点晶格 (GALs) 的自下而上制备此前已产生具有亚纳米周期性的原子级精确结构。聚焦于这类实验实现的 GAL，我们对原始结构以及边缘碳原子被硼或氮取代的 GAL 进行了密度泛函理论计算。我们表明，p 型和 n 型掺杂能级的出现取决于杂质处的氢化水平。此外，我们利用紧束缚参数化结合 Green 函数方法来描述更稀薄的掺杂情况。
引用
@article{arxiv.1607.08056,
title = {Boron and nitrogen doping in graphene antidot lattices},
author = {Søren J. Brun and Vitor M. Pereira and Thomas G. Pedersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.08056},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 7 figures