无序石墨烯反点晶格中的屏蔽与集体模式
介观与纳米尺度物理
2013-11-06 v3 材料科学
摘要
我们在带紧束缚模型的框架下研究了石墨烯反点晶格（GALs）的激发谱和集体模式。我们在随机相位近似下计算了动态极化率和介电函数。我们的计算包含了不同类型的无序效应，如几何无序和化学无序。我们强调了 GALs 与单层石墨烯（SLG）的主要区别。我们的结果表明，除了掺杂样品中众所周知的体等离激元外，GALs 中还出现了带间等离激元。我们进一步表明，未掺杂和掺杂 GALs 的静态屏蔽性质与 SLG 存在定量差异。
引用
@article{arxiv.1309.4903,
title = {Screening and Collective Modes in Disordered Graphene Antidot Lattices},
author = {Shengjun Yuan and Fengping Jin and Rafael Roldán and Antti-Pekka Jauho and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.4903},
year = {2013}
}
备注
12 pages; Replaced with published version