氧化镓中硼掺杂的第一性原理研究
材料科学
2020-07-07 v2
摘要
我们研究了在氧化镓（）中进行硼掺杂以实现中子探测的可行性。是一种宽带隙、抗辐射材料，如果能掺入中子活性元素，则具有中子探测的潜力。我们研究了硼-10同位素作为一种可能的中子活性掺杂剂。利用半局域和杂化密度泛函理论计算，研究了中的本征缺陷和硼诱导缺陷。我们发现，在有利于硼掺入的生长条件下，硼替位缺陷很可能形成，这使得的硼掺杂具有可行性。
引用
@article{arxiv.1910.07371,
title = {Boron doping in gallium oxide from first principles},
author = {Jouko Lehtomäki and Jingrui Li and Patrick Rinke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.07371},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 7 figures, 5 tables