$\text{Sr}_3\text{Ir}_2\text{O}_7$中的电子掺杂：能隙与磁序的坍缩

通过第一性原理计算方法，探究了自旋轨道辅助Mott绝缘体Sr$_{3}$Ir$_{2}$O$_{7}$中由电子掺杂驱动的电荷能隙与交错磁化强度的坍缩。在反铁磁相中，观察到能隙与磁化强度随掺杂增加缓慢减小，并在对应于Sr被La替代4.8%的电子浓度处两者均发生突变坍缩，与实验高度吻合。此外，我们通过晶格中被替代的较小La原子的空间位阻效应与占主导的掺杂驱动形变势效应之间的竞争，描述了Sr$_{3}$Ir$_{2}$O$_{7}$中电子掺杂的结构效应。有趣的是，我们的第一性原理计算未能捕捉Sr$_{3}$Ir$_{2}$O$_{7}$低能隙相中报道的低温结构畸变，这支持了该畸变作为此材料中非常规电子序参量的次级表现的观点。