弱自旋轨道莫特绝缘体向关联金属的一级熔化

Tom Hogan; Z. Yamani; D. Walkup; Xiang Chen; Rebecca Dally; Thomas Z. Ward; John Hill; Z. Islam; Vidya Madhavan; Stephen D. Wilson

doi:10.1103/PhysRevLett.114.257203

弱自旋轨道莫特绝缘体向关联金属的一级熔化

强关联电子 2015-07-07 v1 材料科学超导电性

作者: Tom Hogan , Z. Yamani , D. Walkup , Xiang Chen , Rebecca Dally , Thomas Z. Ward , John Hill , Z. Islam , Vidya Madhavan , Stephen D. Wilson

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摘要

通过详尽的实验研究，确定了弱自旋轨道莫特绝缘体 (Sr(1-x)Lax)3Ir2O7 的电子相图。通过La替代进行电子掺杂时，电阻率立即崩溃，同时出现一个狭窄的纳米尺度相分离区域，该区域由反铁磁绝缘区域和顺磁金属团簇组成，一直持续到 x~0.04。继续电子掺杂导致一个突兀的一级相边界，其中尼尔态被抑制，出现了均匀的、关联的、金属态，具有增强的自旋磁化率和局域磁矩。随着金属态的稳定，出现了微弱的结构畸变，这表明与母态自旋轨道莫特态存在竞争不稳定性。

关键词

弱自旋轨道莫特绝缘体关联金属电子相图电子掺杂纳米尺度相分离一级相边界尼尔态

引用

@article{arxiv.1506.00041,
  title  = {First-order melting of a weak spin-orbit Mott insulator into a correlated metal},
  author = {Tom Hogan and Z. Yamani and D. Walkup and Xiang Chen and Rebecca Dally and Thomas Z. Ward and John Hill and Z. Islam and Vidya Madhavan and Stephen D. Wilson},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.00041},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 4 figures

弱自旋轨道莫特绝缘体向关联金属的一级熔化

摘要

关键词

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