掺杂 Sr$_2$IrO$_4$ 中的渗流型 Mott 绝缘体-金属转变
强关联电子
2021-05-05 v1
摘要
尽管已作出许多努力以解释掺杂 Mott 绝缘体中的强关联电子基态，掺杂诱导的绝缘体到金属转变的本质仍是一个被深入研究的课题。在此，我们利用低温扫描隧道显微镜探测 Mott 绝缘体 SrIrO 的纳米尺度电子结构，并在单个顶氧位点缺陷处发现 Mott 能隙内局域态密度（LDOS）的增强。我们可视化了由缺陷态重叠引起的增强电导路径，其在费米能级处诱导出有限 LDOS。结合这些发现与孤立缺陷约 2~nm 的典型空间延展，我们表明 SrIrO 中的绝缘体到金属转变具有渗流性质。
引用
@article{arxiv.1909.10207,
title = {Percolative Mott insulator-metal transition in doped Sr$_2$IrO$_4$},
author = {Zhixiang Sun and Jose M. Guevara and Steffen Sykora and Ekaterina M. Pärschke and Jeroen van den Brink and Kaustuv Manna and Andrey Maljuk and Sabine Wurmehl and Bernd Büchner and Christian Hess},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.10207},
year = {2021}
}
备注
29 pages, 8 figures