自旋-轨道耦合诱导的 Mott 绝缘体 Sr$_2$IrO$_4$ 的局域态密度研究
强关联电子
2014-07-10 v3
摘要
我们报道了对新型 Mott 绝缘体 Sr2IrO4 进行的扫描隧道显微镜与光谱实验。局域态密度（LDOS）测量显示存在 620 meV 的本征绝缘能隙，该能隙相对于费米能级不对称，且大于先前报道的值。该能隙的大小表明 Sr2IrO4 更可能是 Mott 绝缘体而非 Slater 绝缘体。此外，我们发现了少量产生能隙内谱权重的本征缺陷。在缺陷处及非缺陷处进行的原子级分辨率 LDOS 测量表明，该能隙相当脆弱。5d 电子的扩展特性与缺陷的弱屏蔽共同有助于解释该能隙难以捉摸的特性。
引用
@article{arxiv.1303.3688,
title = {Local density of states study of a spin-orbit-coupling induced Mott insulator Sr$_2$IrO$_4$},
author = {Jixia Dai and Eduardo Calleja and Gang Cao and Kyle McElroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3688},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures