δ掺杂Mott绝缘体中的高密度二维小极化子气体
强关联电子
2014-04-10 v1 材料科学
摘要
复杂氧化物系统中的异质界面为测试强关联材料模型、探索维度在金属-绝缘体转变（MIT）和小极化子形成中的作用开辟了新领域。在量子临界点附近，Mott MIT依赖于由随机无序替代掺杂控制的能带填充。δ掺杂Mott绝缘体可能没有随机无序，并引入了一个探索电子关联和维度效应的新领域。原型Mott绝缘体GdTiO3的外延薄膜通过用单层电荷中性SrO替代单个(GdO)+1平面进行δ掺杂，产生了一个具有高平面掺杂密度的二维系统。与GdTiO3中的金属性SrTiO3量子阱不同，单个SrO δ掺杂层表现出热激活的直流和光导率，这些导率在定量上与对小极化子输运的预测一致，但具有极高的二维极化子密度，约7×10^14 cm^-2。
引用
@article{arxiv.1404.2556,
title = {High-density two-dimensional small polaron gas in a delta-doped Mott insulator},
author = {Daniel G. Ouellette and Pouya Moetakef and Tyler A. Cain and Jack Y. Zhang and Susanne Stemmer and David Emin and S. James Allen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.2556},
year = {2014}
}