三角晶格上空穴掺杂 Mott 绝缘体中的规避金属性
强关联电子
2024-09-18 v2
摘要
Mott 绝缘体的掺杂产生了从高温超导到电荷、自旋和轨道序等多种奇异涌现态。然而，支撑其演化的物理机制尚不清楚。一个主要挑战是与传统掺杂途径相关的化学复杂性。在此，我们研究 delafossite 结构 PdCrO 的 Mott 绝缘 CrO 层，其中本征极化 catastrophe 提供了表面掺杂的洁净途径。从扫描隧道显微镜和角分辨光电子能谱，我们发现表面保持绝缘并伴随短程有序态。从密度泛函理论，我们展示了电荷歧化的形成如何导致表面绝缘基态，其与块体中的隐藏 Mott 绝缘体不同。我们证明电压脉冲引起该态的局部修饰，其在数十分钟内弛豫，指向电荷序的玻璃态本质。
引用
@article{arxiv.2311.17139,
title = {Avoided metallicity in a hole-doped Mott insulator on a triangular lattice},
author = {Chi Ming Yim and Gesa-R. Siemann and Srdjan Stavrić and Seunghyun Khim and Izidor Benedičič and Philip A. E. Murgatroyd and Tommaso Antonelli and Matthew D. Watson and Andrew P. Mackenzie and Silvia Picozzi and Phil D. C. King and Peter Wahl},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.17139},
year = {2024}
}
备注
published paper and supplementary, 28 pages in total, 4 figures in the main text and 15 in the supplementary