电荷掺杂对具有强自旋轨道耦合的 Mott 绝缘体 Ba$_2$NaOsO$_6$ 的影响
强关联电子
2023-11-21 v2 材料科学
其他凝聚态物理
摘要
为了理解材料中涌现量子相的机制，人们对掺杂对 Mott 绝缘态电子演化影响的进行了广泛研究。当自旋与轨道自由度之间存在纠缠时，对这些效应的研究变得更加引人入胜。在此，我们针对双钙钛矿 BaNaOsO 中的电荷掺杂进行了全面研究，这是一种复杂的 Mott 绝缘体，上述纠缠在其中起着重要作用。我们确定，当掺杂水平超过约 10% 时，绝缘磁性基态从倾斜反铁磁（cAF）演变为 Néel 序。此外，我们确定，作为磁有序态前驱体的破缺局部点对称（BLPS）相，随着掺杂的增加，占据了 (H-T) 相图中的更大区域。这一发现表明，局部立方对称性的破缺是由多极序驱动的，极有可能是反铁四极序类型。
引用
@article{arxiv.2210.05077,
title = {Effects of charge doping on Mott insulator with strong spin-orbit coupling, Ba$_2$NaOsO$_6$},
author = {E. Garcia and R. Cong and P. C. Forino and A. Tassetti and G. Allodi and A. P. Reyes and P. M. Tran and P. M. Woodward and C. Franchini and S. Sanna and V. F. Mitrović},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.05077},
year = {2023}
}