基于 DFT+DMFT 的 LaVO$_3$/SrVO$_3$ 多层膜界面掺杂
强关联电子
2022-12-22 v1 材料科学
摘要
我们通过在多层几何结构中插入少量关联金属 SrVO 层，研究了 Mott 绝缘体 LaVO 的空间掺杂效应。结合密度泛函理论与动力学平均场理论，我们证明这会产生一个几何受限且稳健的金属层，即使在超薄层极限下也能稳定 SrVO 的金属性，从而抑制潜在的维度诱导金属-绝缘体转变。对于较厚的 SrVO 层，我们发现两种材料之间界面处的结构和电子性质均发生连续转变，且在距界面 2-3 个晶胞的长度尺度上重新建立起体相性质。我们证明，沿生长方向施加的应变调制可导致化学对称界面处的不对称电荷重构。然而，我们发现这种效应相当微弱，这意味着分数占据率以及由此产生的金属性在界面处持续存在。
引用
@article{arxiv.2212.10601,
title = {Interfacial doping in LaVO$_3$/SrVO$_3$ multilayers from DFT+DMFT},
author = {Sophie Beck and Claude Ederer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.10601},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 5 figures