La_2/3Sr_1/3MnO_3/SrTiO_3(001) 异质结自旋电子学应用中的最优界面掺杂
材料科学
2013-08-30 v1
摘要
我们通过第一性原理赝势计算，研究了在界面处插入一层 La_(1-x)Sr_xMnO_3（其中 0<x<1）的 La_2/3Sr_1/3MnO_3/SrTiO_3 (LSMO/STO) 异质结。通过考虑 MnO_2 界面层相对于体相 LSMO 的反铁磁与铁磁排列之间的能量差，我们探究了实现稳健界面铁磁性的最优中间层掺杂 x。研究发现最优掺杂接近 x=1/3，这对应于 STO 的突变 TiO_2 (001) 层终止。在我们的计算中，该组分也给出了最大的 p 型肖特基势垒高度。
引用
@article{arxiv.1308.6400,
title = {Optimal interface doping at La_2/3Sr_1/3MnO_3/SrTiO_3(001) heterojunctions for spintronic applications},
author = {C. Wang and N. Stojic and N. Binggeli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.6400},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures