缓冲层终止面对集成于Si(100)的LaTiO$_3$/SrTiO$_3$异质结构互混与导电性的影响
材料科学
2024-06-19 v1
摘要
控制超薄功能性过渡金属氧化物层之间形成的异质界面上的化学交换，是调控这些体系电子性质的有效途径。我们表明，通过分子束外延在SrTiO（STO）缓冲的硅上外延生长的莫特绝缘体LaTiO（LTO）与应变STO缓冲层之间界面的阳离子交换，强烈依赖于应变STO缓冲层的表面终止。结合变温输运、同步辐射X射线晶体截断杆和倒易空间映射分析发现，与具有TiO终止STO缓冲层的异质结构相比，STO/LTO/SrO终止的STO缓冲层中导电性增强与La/Sr交换及金属性LaSrTiO的形成相关。由于名义氧化物层与Si衬底之间的大晶格失配，La/Sr交换有效降低了体系的应变能。
引用
@article{arxiv.2109.08586,
title = {Effect of Buffer Termination on Intermixing and Conductivity in LaTiO$_3$/SrTiO$_3$ Heterostructures Integrated on Si(100)},
author = {Tongjie Chen and Kamyar Ahmadi-Majlan and Zheng Hui Lim and Zhan Zhang and Joseph H. Ngai and Divine . P. Kumah},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.08586},
year = {2024}
}