块体 ZnO 中 V 族元素掺杂的全面第一性原理研究
材料科学
2014-04-30 v2
摘要
尽管缺乏可重复的实验证实，V 族元素仍以简单缺陷和复合缺陷的形式被视为 ZnO 中 p 型掺杂的可能来源。基于最先进的杂化交换关联泛函，我们利用第一性原理计算研究了与 N、P、As 和 Sb 杂质相关的广泛缺陷及缺陷复合体。研究表明，由于受主能级较深且补偿性施主缺陷的形成能较低，任何候选者都不能被视为价带中空穴的良好来源。此外，我们还讨论了不同条件下复合体的稳定性。
引用
@article{arxiv.1401.1109,
title = {Comprehensive ab initio study of doping in bulk ZnO with group-V elements},
author = {Guido Petretto and Fabien Bruneval},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.1109},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 7 figures