利用外电压实现半导体薄膜中掺杂不对称性的反转
材料科学
2023-07-14 v2
摘要
掺杂不对称性是半导体中显著的现象，也是限制大多数宽禁带半导体应用的长期挑战；由于其极端能带边缘，这些材料固有地发生自发的重 n 型或 p 型掺杂。本研究从理论上表明，在材料生长或掺杂过程中施加适当外电压，可大幅调控能带边缘，从而反转半导体薄膜中的掺杂不对称性。我们以氧化锌为试金石，经计算证明该电压辅助掺杂方法在三种不同生长条件下将自发 n 型缺陷抑制约四个数量级，并成功生成低至最低受主能级的 p 型氧化锌。所提方法对材料、生长条件或缺陷起源不敏感，因而为半导体薄膜中的掺杂不对称性提供了通用解决方案。
引用
@article{arxiv.2211.05990,
title = {Reverse Doping Asymmetry in Semiconductor Thin Films Using External Voltage},
author = {Kai Liu and Zhibin Yi and Guangfu Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.05990},
year = {2023}
}