在氧化物半导体中实现化学共掺杂
材料科学
2015-06-18 v1
摘要
我们在实验上展示了一种化学共掺杂方法，该方法可同时窄化氧化物半导体的带隙并调控其能带边缘位置。以 TiO2 为例，我们表明采用氮 (N) 先行、随后磷 (P) 的序贯掺杂方案，对于将 N 和 P 同时掺入阴离子位点至关重要。多种表征技术证实了 N-P 键的形成；作为化学共掺杂的结果，TiO2 的带隙从 3.0 eV 减小至 1.8 eV。化学共掺杂的实现可能是提升电子和光电子材料及器件整体性能的重要一步。
引用
@article{arxiv.1311.2779,
title = {Realizing Chemical Codoping in Oxide Semiconductors},
author = {Fang Wang and Y. Y. Sun and John B. Hatch and Hui Xing and Hongwang Zhang and Xiaohong Xu and Hong Luo and S. B. Zhang and Hao Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.2779},
year = {2015}
}