通过调控BaBiO$_3$中的呼吸畸变实现电子反掺杂
材料科学
2021-05-27 v1
摘要
近期提出的反掺杂方案为构思反向功能材料与器件开辟了新途径，然而现有少数实例均属强关联电子体系。本文从理论与实验两方面证明，主族氧化物BaBiO是利用氧空位实现反掺杂的模型体系。第一性原理计算表明，由于远离空位处BiO呼吸畸变显著增强，以及空位附近Bi 6s与O 2p杂化导带的湮灭，带隙系统性增大。谱学实验证实带隙随电子掺杂系统性增大，当薄膜化学计量比降至BaBiO时，带隙最大增强达75%。拉曼与衍射实验显示整体呼吸畸变受到抑制。该研究明确展示了无强电子关联材料中的显著反掺杂效应，并强调了键 disproportionation（键 disproportionation，歧化）在实现该效应中的重要性。
引用
@article{arxiv.2101.02773,
title = {Realization of electron antidoping by modulating the breathing distortion in BaBiO$_3$},
author = {Hui Cao and Hongli Guo and Yu-Cheng Shao and Qixin Liu and Xuefei Feng and Qinwen Lu and Zhengping Wang and Aidi Zhao and Atsushi Fujimori and Yi-De Chuang and Hua Zhou and Xiaofang Zhai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.02773},
year = {2021}
}