通过极化子抢占改善 Li$_2$O$_2$ 电导率：Si 掺杂的\textit{ab initio}研究
材料科学
2015-06-15 v1
摘要
我们报告了对 LiO 的\textit{ab initio}电子结构模拟，其中 1.6% 的锂原子被硅取代。研究表明，这导致在 LiO 的带隙中形成了导电杂质态。我们表明，这些态源于氧对的反键轨道，并且对可能的极化子形成（在电子注入时）具有显著的稳定性。通过这种极化子抢占机制，所提出的化合物预计将表现出比化学计量比 LiO 显著更高的电子迁移率，这在锂空气电池中可能具有重要的应用。
引用
@article{arxiv.1303.5648,
title = {Improving Li$_2$O$_2$ conductance via polaron preemption: an \textit{ab initio} study of Si doping},
author = {Vladimir Timoshevskii and Zimin Feng and Kirk Bevan and Karim Zaghib},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.5648},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures