BaBiO$_{3}$中依赖于厚度的带隙调控

材料 BaBiO$_{3}$ 以其绝缘特性而著称。然而，对于薄膜，在超薄极限下，由于近期报道称 BaBiO$_{3}$ 被认为会回到其未畸变的立方相，其中氧八面体呼吸模将被抑制，因而预期会出现金属性。在此，我们证实了氧呼吸模对带隙大小的影响。利用原位扫描隧道显微镜研究了 BaBiO$_{3}$ 厚度系列的 electronic 性质。我们观察到随着 BaBiO$_{3}$ 薄膜厚度的减小，发生了宽禁带（$E_\textrm{G}$~$>$ 1.2 V）到小禁带~($E_\textrm{G}$~$\approx$ 0.07 eV) 半导体的转变。然而，即便对于超薄 BaBiO$_{3}$ 薄膜，也不存在金属态。发现带隙大小与呼吸声子模拉曼响应强度随厚度的变化相吻合。