结构敏感的 Ba(Pb, Sn)O$_3$ 合金中的微弱金属性与稳健半导体区
材料科学
2021-10-27 v1
摘要
我们进行了密度泛函计算,以研究 BaPbSnO 中由对称性和替代驱动的电子相变。两个端元 BaSnO 和 BaPbO 分别被发现为绝缘体和金属。在后一种情况下,金属性源于由 Pb-s 主导的导带边形成的电子袋,以及由 O-p 主导的价带形成的空穴袋。我们发现电子载流子具有高度迁移率,而空穴载流子则局域化。我们的研究表明,为了在金属性立方 BaPbO 中实现绝缘相以探索光电性质,可通过三种方式:首先,通过 PbO 八面体的旋转和倾斜将晶格对称性降低至单斜;其次,通过静水压力;第三,通过与 Sn 替代形成合金。软声子模的存在意味着对称性降低结构相变的可能性。此外,与早先报道不同,我们发现 Sn 替代的 BaPbO 由于不存在能带反转,不能展现拓扑绝缘体相。
引用
@article{arxiv.2109.13220,
title = {Feeble Metallicity and Robust Semiconducting Regime in Structurally Sensitive Ba(Pb, Sn)O$_3$ Alloys},
author = {Ravi Kashikar and B. R. K. Nanda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.13220},
year = {2021}
}
备注
11 pages, 12 figures