NbO2金属-绝缘相变：嵌入式Peierls不稳定性
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
报告基于嵌入式球面波电子结构计算的NbO2结果。两种金属晶体结构rutile和绝缘低温NbO2（晶体结构为变形rutile）在密度泛函理论和局域密度近似下得到正确描述。金属导电性由金属t_{2g}轨道提供，这些轨道分为沿d_parallel带和各向同性色散的e_{g}^{pi}带。两种类型带的杂化在X--R线之外几乎可以忽略。在低温相变，d_parallel带由于金属-金属二聚体化而分裂，e_{g}^{pi}带由于p-d重叠增强而上移，结果消除费米面并形成约0.1 eV的光学带隙。金属-绝缘相变源于d_parallel带在e_{g}^{pi}电子嵌入背景下的Peierls不稳定性。这一基本机制也适用于VO2，但由于3d电子更强局域化，电子关联作用预计更重要。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106137,
title = {The Metal-Insulator Transition of NbO2: an Embedded Peierls Instability},
author = {V. Eyert},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106137},
year = {2009}
}
备注
4 pages, revtex, 6 eps figures, additional material avalable at http://www.physik.uni-augsburg.de/~eyert/