应变控制的超薄 LaNiO$_3$ 薄膜能带工程与自掺杂
强关联电子
2012-04-11 v1
摘要
我们报告了对超薄金属 LaNiO 薄膜中温度依赖霍尔系数和热电功率的系统研究，揭示了一种在体材料中无法实现的应变诱导自掺杂载流子转变。当薄膜应变在固定成分和化学计量比下从压缩变为拉伸时，输运系数的演化方式与不同掺杂水平的体空穴掺杂超导铜氧化物惊人地相似。密度泛函计算表明，输运性质的应变诱导变化源于低能电子能带结构中的自掺杂。结果表明，薄膜外延可作为一种新手段，在不依赖化学取代的情况下，在其他（负）电荷转移隙过渡金属氧化物中实现空穴掺杂。
引用
@article{arxiv.1204.2039,
title = {Strain-controlled band engineering and self-doping in ultrathin LaNiO$_3$ films},
author = {E. J. Moon and J. M. Rondinelli and N. Prasai and B. A. Gray and M. Kareev and J. Chakhalian and J. L. Cohn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2039},
year = {2012}
}