MgB$_2$ 中带填充与跨带散射效应：C 与 Al 掺杂的比较
超导电性
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们基于能带结构计算和 Eliashberg 理论，认为 observed Al 和 C 掺杂 MgB 样品中 降低主要是由于 Al 和 C 引入的电子掺杂导致的带填充效应所致。通过对电子掺杂下态密度函数变化所引起的电子-声子耦合常数 的简单缩放，即可捕捉实验所观察到的行为。进一步，我们也解释了长期以来的开放问题，即实验观察到 nearly constant 间隙随掺杂变化的现象：通过带填充效应与跨带散射效应的相互抵消来解释。两种效应共同作用产生 nearly constant 间隙，并将两个间隙的合并点位于更高的掺杂浓度处，从而解决了仅考虑跨带散射的理论预测与实验结果之间的矛盾。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411667,
title = {Band filling and interband scattering effects in MgB$_2$: C vs Al doping},
author = {Jens Kortus and Oleg V. Dolgov and Reinhard K. Kremer and Alexander A. Golubov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411667},
year = {2007}
}
备注
accepted by PRL