通过能带工程在 BaSnO3 中分离电子与施主
材料科学
2020-01-08 v1 量子气体
摘要
通过薄膜生长、硬 X 射线光电子能谱（HAXPES）、扫描透射电子显微镜/电子能量损失谱（STEM/EELS）、磁输运测量与输运建模相结合，我们报道了利用更宽带隙的 La 掺杂 SrSnO3（LSSO）层对 BaSnO3（BSO）进行调制掺杂的演示。硬 X 射线光电子能谱（HAXPES）揭示了 LSSO 与 BSO 之间 0.71 ± 0.02 eV 的价带偏移，从而产生了利于使用 LSSO 对 BSO 进行远程掺杂的导带偏移。LSSO/BSO 异质结构的非线性霍尔效应证实了由于电子从 LSSO 转移到 BSO 而产生的双通道导电，并与一维 Poisson 与 Schrödinger 方程自洽解的结果吻合良好。角度依赖的 HAXPES 测量揭示了电子在 BSO 中 2-3 个晶胞上的空间分布。这些结果通过在不基于 SrTiO3 的氧化物异质结构中确立调制掺杂方法，使钙钛矿氧化物向室温氧化物电子学迈进了一大步。
引用
@article{arxiv.1905.04563,
title = {Separating Electrons and Donors in BaSnO3 via Band Engineering},
author = {Abhinav Prakash and Nicholas F. Quackenbush and Hwanhui Yun and Jacob Held and Tianqi Wang and Tristan Truttmann and James M. Ablett and Conan Weiland and Tien-Lin Lee and Joseph C. Woicik and K. Andre Mkhoyan and Bharat Jalan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.04563},
year = {2020}
}