γ-graphyne的p-n共掺杂带隙调控
介观与纳米尺度物理
2016-09-21 v1 材料科学
摘要
二维碳材料中带隙的调控对其作为电子器件的应用具有重要意义。通过第一性原理计算，我们提出一种控制γ-graphyne带隙大小的模型。该模型称为p-n共掺杂，即使用B和N原子共掺杂入γ-graphyne。共掺杂后，B原子起p掺杂作用，N原子起n掺杂作用。费米能级回到禁带附近，γ-graphyne的带隙变大或变小。此外，在不同共掺杂构型下带隙呈现振荡行为。所提模型为更好地调控二维碳材料的电子性质提供了新见解。
引用
@article{arxiv.1604.04370,
title = {Band gap modulation in {\gamma}-graphyne by p-n codoping},
author = {Xiaohui Deng and Jing Zeng and Mingsu Si and Wei Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.04370},
year = {2016}
}