图案化B-N掺杂诱导的锡烯带隙打开
材料科学
2017-01-02 v2
摘要
锡烯是一种量子自旋霍尔绝缘体，也是用于电子和光电子器件的有前途的材料。采用密度泛函理论（DFT）计算研究通过元素单掺杂（B、N）和共掺杂（B-N）在锡烯中打开带隙。研究了不同的图案化B-N共掺杂以改变锡烯中的电子性质。图案化B-N共掺杂在锡烯中打开了带隙，且半导体性质在应变下持续存在。进行分子动力学（MD）模拟以确认此种掺杂体系的热稳定性。应力-应变研究表明该掺杂体系与纯锡烯一样稳定。我们的功函数计算表明锡烯和掺杂锡烯具有比石墨烯更低的功函数，因此是光催化和电子器件中有前途的材料。
引用
@article{arxiv.1603.06057,
title = {Band Gap Opening in Stanene Induced by Patterned B-N doping},
author = {Priyanka Garg and Indrani Choudhuri and Arup Mahata and Biswarup Pathak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.06057},
year = {2017}
}
备注
29 Pages, 7 figures and 1 table