含小 BN 域的改性石墨烯：打开带隙的有效方法

由于相分离，BN 域容易在石墨烯基面上形成。通过第一性原理 DFT 计算，从理论上证明了通过掺杂小 BN 域可以在 K（或 K'）点附近有效打开石墨烯的带隙。研究还发现，除了对费米能级的调制外，随机掺杂 B 或 N 也可能在狄拉克点处打开一个小带隙。属于狄拉克点附近 $\pi$ 态的表面电荷被发现发生了局部重新分布。电荷的重新分布归因于掺杂效应引起的局域势变化。这可能就是 BN 域掺杂下狄拉克点附近的能量状态仅在能量区间 [-0.4eV, 0.4eV] 内受到扰动的原因。因此，我们认为掺杂 BN 域诱导的带隙打开是由于势的局域对称性破缺所致。用 BN 域掺杂石墨烯是在狄拉克点附近打开带隙且具有准线性耗散的有效方法。