利用功函数差控制铅沉积石墨烯的狄拉克能带态
材料科学
2020-09-15 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们在 SiC(0001) 衬底上的铅沉积双层石墨烯 (BLG) 上进行了扫描隧道显微镜 (STM) 与角分辨光电子能谱 (ARPES) 测量，以研究电子结构对铅沉积量的依赖关系。我们通过 STM 观察到 Pb 原子形成岛状结构，并通过 ARPES 观察到 BLG 的 能带向费米能级移动。这种类空穴掺杂的能移随 Pb 量增加而增强，且我们能够通过 4 ML 沉积将狄拉克带隙调至费米能级。结合能带色散，我们认为类空穴掺杂效应与 Pb 岛和 BLG/SiC 的功函数之差有关；BLG/SiC 的功函数低于 Pb。我们的结果提出了一种通过适当选择衬底与沉积材料来实现石墨烯能带调控的简便途径。
引用
@article{arxiv.2005.06770,
title = {Controlling of the Dirac band states of Pb-deposited graphene by using work function difference},
author = {Y. Tsujikawa and M. Sakamoto and Y. Yokoi and M. Imamura and K. Takahashi and R. Hobara and T. Uchihashi and A. Takayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.06770},
year = {2020}
}