扭转石墨烯双层的单层行为与缓慢载流子密度动力学
强关联电子
2015-06-03 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
我们报道了 SiC 衬底上扭转石墨烯双层的扫描隧道显微镜(STM)与扫描隧道谱学(STS)研究。对于扭转角约 4.5° 的样品,由于石墨烯/SiC 界面的电子掺杂,Dirac 点 E_D 位于 Fermi 能级 E_F 下方约 0.40 eV 处。我们观察到一个意外结果:在 STS 测量过程中(时间尺度约为 100 秒),纳米尺度缺陷附近的局域 Dirac 点向 Fermi 能方向移动。该行为被归因于测量过程中扭转石墨烯与衬底之间的解耦,这一过程同时降低了石墨烯的载流子密度。
引用
@article{arxiv.1111.0411,
title = {Single-layer behavior and slow carrier density dynamic of twisted graphene bilayer},
author = {Lan Meng and Yanfeng Zhang and Wei Yan and Lei Feng and Lin He and Rui-Fen Dou and Jia-Cai Nie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.0411},
year = {2015}
}