硅掺杂石墨烯拟议结构中的可调带隙开启
介观与纳米尺度物理
2011-03-01 v1
摘要
本文介绍了一种具有替代硅杂质的掺杂石墨烯的具体结构，并采用从头算密度泛函方法对所提出结构的能带结构进行了计算。通过计算不同硅位点在本征石墨烯中的能带结构，还研究了硅浓度和晶胞几何形状对所提出结构带隙的影响。根据DFT计算，化学硅掺杂石墨烯产生的能隙高达2eV。我们将证明，与先前的带隙工程方法相比，这种结构具有显著优势，包括宽范围的带隙调谐能力及其对晶格几何形状的依赖性可忽略不计。
引用
@article{arxiv.1102.5422,
title = {Tunable Bandgap Opening in the Proposed Structure of Silicon Doped Graphene},
author = {Mohammad S. Sharif Azadeh and Alireza Kokabi and Mehdi Hosseini and Mehdi Fardmanesh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.5422},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures