嵌入石墨烯的四分之一波堆栈的光子带隙

在此，我们提出了一种通过嵌入导电薄片来调整四分之一波堆栈光子能带结构而不改变其物理周期的机制。石墨烯被用作一种现实的二维导电薄片进行研究。在嵌入石墨烯的四分之一波堆栈中，Bragg 散射与石墨烯电导贡献的协同作用在缩减布里渊区的中心打开了光子带隙，而这在传统的四分之一波堆栈中是不存在的。此类光子带隙在固定的低带隙边缘（即四分之一波堆栈偶数倍特征频率处）显示出巨大的、与损耗无关的光学态密度。这种由新型导电薄片诱导的光子带隙为增强光与物质相互作用提供了一个新平台。