半导体上的电润湿
流体动力学
2012-08-02 v1 材料科学
摘要
我们报道了利用 resting 在硅表面的汞液滴在半导体上实现的电润湿现象。该效应在不同掺杂浓度的商用 n 型和 p 型单晶 (100) 硅片上得到了演示。电润湿是可逆的——观察到汞液滴随电压变化的润湿接触角变化既取决于底层半导体的掺杂密度也取决于其类型。电润湿行为通过金属 - 半导体结处空间电荷电容的电压依赖性调制来解释——电流 - 电压和电容 - 电压 - 频率测量证实了这一点。结合金属 - 半导体结电容与 Young-Lippmann 电润湿方程的模型与观测结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1208.0201,
title = {Electrowetting on a semiconductor},
author = {Steve Arscott and Matthieu Gaudet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0201},
year = {2012}
}
备注
14 pages, 5 figures