PbTe中缺陷电子结构的从头计算研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
理解窄带隙半导体中深能级缺陷态的详细电子结构一直是一个具有挑战性的问题。近年来，基于密度泛函理论(DFT)并使用超胞模型的自洽从头计算在解决这一问题上取得了成功。在本文中，我们对著名的窄带隙半导体PbTe中的一大类缺陷进行了此类计算：不同价态的阳离子和阴离子替代杂质，以及阳离子和阴离子空位。对于阳离子缺陷，我们研究了一系列化合物RPb2n-1Te2n，其中R为空位或一价、二价、三价原子；对于阴离子缺陷，我们研究了化合物MPb2nTe2n-1，其中M为空位、S、Se或I。我们发现，对于大多数此类缺陷，价带顶和导带底附近的态密度(DOS)发生了显著改变。这表明，存在杂质时PbTe的输运性质不能简单地用载流子掺杂概念来解释，从而证实了基于定性和半定量论证提出的这些观点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605538,
title = {Ab initio studies of electronic structure of defects in PbTe},
author = {Salameh Ahmad and S. D. Mahanti and Khang Hoang and M. G. Kanatzidis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605538},
year = {2007}
}