基于密度泛函理论的 Ti${}_n$O${}_{2n-1}$ Magn\'eli 相研究
材料科学
2014-08-04 v1
摘要
金红石型 TiO结构中的缺陷已被广泛研究，但缺氧 TiO相的本征缺陷却未得到同等程度的关注。这些被称为 Magn\'eli 相的结构其特征在于存在有序的氧空位平面（也称为剪切面），且已证明它们在基于 TiO 的忆阻器器件内部形成导电通道。忆阻器是电子工业中新一代存储器件的优良候选者。在本文中，我们利用 PBESol+U ( eV) 和 HSE 泛函对 TiO Magn\'eli 结构进行了基于密度泛函理论（DFT）的电子结构计算，结果表明这些结构中存在的本征缺陷导致了带隙内态的出现，这些态可作为本征掺杂剂，增强 TiO忆阻器件的导电性。
引用
@article{arxiv.1406.3746,
title = {A study of Ti${}_n$O${}_{2n-1}$ Magn\'eli phases using Density Functional Theory},
author = {A. C. M. Padilha and J. M. Osório-Guillen and A. R. Rocha and G. M. Dalpian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.3746},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 31 figures, 4 tables