As 掺杂 p 型 ZnO 晶体的缺陷能与电子结构：第一性原理研究
材料科学
2013-05-20 v1 光学
摘要
基于密度泛函理论的第一性原理计算已被用于理解制备 As 掺杂 p 型 ZnO 半导体的机制。通过计算形成能和电离能，已确认 AsZn-2VZn 复合体是 p 型掺杂几种候选方案中最可能的受主。计算了含 AsZn-2VZn 缺陷复合体的 ZnO 体材料的电子能带结构和原子投影态密度。发现 AsZn-2VZn 能带结构中的受主能级为 0.12 eV，这与实验电离能（0.12 ~ 0.18 eV）非常吻合。在价带顶附近观察到了 O 2p、Zn 3d 和 As 4s 态之间的杂化。
引用
@article{arxiv.1305.3994,
title = {Defect energetics and electronic structures of As-doped p-type ZnO crystals: A first-principles study},
author = {Chol-Jun Yu and Yong-Guk Choe and Son-Guk Ri and Myong-Il Kim and Song-Jin Im},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.3994},
year = {2013}
}