水热生长ZnO晶体中的浅载流子陷阱
材料科学
2015-06-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
采用基于电荷的深能级瞬态谱(Q-DLTS)、光致发光和阴极发光微分析研究了水热生长ZnO晶体中本征及氢等离子体诱导的浅陷阱。原生态ZnO表现出位于23 meV的陷阱态，而通过等离子体掺杂制成的H掺杂ZnO显示出导带以下22 meV和11 meV的两个能级。原生态ZnO显示出从7 K起随温度升高束缚激子预期的热衰减，而我们观察到H掺杂ZnO中激子发射的异常行为，其强度在140-300 K范围内随温度升高而增加。基于大量光学结果，建立了一个定性模型，该模型解释了Y线结构缺陷，其作为激活能为11 meV的电子陷阱，导致了H掺杂ZnO中异常的温度依赖阴极发光。
引用
@article{arxiv.1506.07217,
title = {Shallow carrier traps in hydrothermal ZnO crystals},
author = {C. Ton-That and L. L. C. Lem and M. R. Phillips and F. Reisdorffer and J. Mevellec and T. -P. Nguyen and C. Nenstiel and A. Hoffmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.07217},
year = {2015}
}