电荷补偿 (Si, Na) 共掺杂 ZnO 的光学性质研究
材料科学
2018-03-20 v1
摘要
ZnO 以 2:1 的比例共掺杂 Na+ 和 Si4+。该比例是刻意选择的，以使掺杂剂的净价态在理论上与宿主相匹配。这是为了避免依赖于由掺杂剂的阳离子价态引起的氧空位/间隙的数量。通过这种组合，结构和光学性质的修改不依赖于掺杂剂电荷状态的过剩或不足。在较低掺杂下，Na+ 离子处于间隙位置，这会增加应变、晶格无序，从而产生缺陷。间隙缺陷的形成导致带隙能量降低并产生橙红发光。在较高掺杂下，Na+ 开始取代 Zn2+ 位点，这有助于减少应变和晶格无序，从而增加带隙。尽管存在具有较高电荷的 Si4+，由于晶格无序，氧空位仍逐渐增加。
引用
@article{arxiv.1803.06656,
title = {Optical Property Study of Charge Compensated (Si, Na) Co-doped ZnO},
author = {Tulika Srivastava and Gaurav Bajpai and Gyanendra Rathore and Prashant Mishra and Shun Wei Liu and Sajal Biring and Somaditya Sen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.06656},
year = {2018}
}