CO 与 OH 在 In 掺杂 ZnO 表面吸附的第一性原理研究
材料科学
2019-05-22 v2
摘要
我们提出了一项关于铟掺杂非极性 ZnO (100) 表面的第一性原理计算研究。计算使用模型 ZnO 平板进行。In 掺杂原子的位置从深层类体层变化到表面层。通过考察缺陷形成能以及表面能对 In 位置的依赖关系，确定 In 原子的优先位置在表面。我们确定了 ZnO 表面的吸附位点以及 CO 分子和 OH 物种的吸附能，并将其与 In 掺杂相关联。发现 OH 与表面的键合能高于 CO。ZnO 表面 In 原子的存在有利于 CO 吸附，导致 C-O 键伸长并向表面发生电荷转移。我们评估了 CO 和 OH 吸附对表面电子和传导性质的影响。我们得出结论：In 掺杂 ZnO 表面在 CO 吸附时应表现出更高的电子响应。
引用
@article{arxiv.1806.01338,
title = {First-principles study of CO and OH adsorption on In-doped ZnO surfaces},
author = {R. Saniz and N. Sarmadian and B. Partoens and M. Batuk and J. Hadermann and A. Marikutsa and M. Rumyantseva and A. Gaskov and D. Lamoen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01338},
year = {2019}
}
备注
9 pages, 13 figures; version with supporting additional material in appendix