应变 ZnO 薄膜反射光谱分析
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
研究了以激光分子束外延生长的 ZnO 薄膜的光学性质。4-K 反射率用于分析在不同 biaxial 面内应变下生长的 various samples。光谱显示在 3.37 eV 处有两个结构，对应 A-自由激子跃迁；在 3.38 eV 处有另一个结构，对应 B-自由激子跃迁。使用空间色散模型计算理论反射光谱。因此，确定了 A- 和 B-自由激子的横向能、纵向横向分裂 (ELT,)、振荡强度和阻尼参数。就应变而言，A 激子能 E_LT 的应变依赖性特征为负凸形，在零应变处呈现最小值，而 B 激子能 ELT 随应变场值的增加而增大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510167,
title = {Analysis on reflection spectra in strained ZnO thin films},
author = {T. Makino and Y. Segawa and M. Kawasaki and A. Ohtomo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510167},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures, 1 table, conference: ICMAT2005 (Singapore), to appear in an issue of J. Cryst. Growth