氧化锌纳米线的亚毫秒级可见光门控
应用物理
2020-04-15 v1
摘要
半导体纳米线是许多纳米级电子与神经形态电路的基本构建单元。在此，我们展示了一种简单结构：通过介电泳沉积在金电极之间的乙醇吸附氧化锌单纳米线，在可见光激活时电阻发生显著变化。我们观察到，单根纳米线中两种稳定欧姆态（一种在暗态、另一种在光照态）之间的转换时间尺度可达亚毫秒量级，比我们此前报道的体相氧化锌薄膜中的开关时间尺度低 7 个数量级。基于氧分子在纳米线表面的吸附-脱附动力学，提出了光激活电阻开关机制的数学模型。
引用
@article{arxiv.2004.06208,
title = {Sub-Millisecond Visible-Light Gating of a Zinc Oxide Nanowire},
author = {Justin Derickson and Benjamin Kerr Barnes and Kausik S Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.06208},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 5 figures