电子掺杂铜氧化物超导体中的低温电阻率
超导电性
2015-05-19 v1 强关联电子
摘要
我们测量了一组具有可控氧含量的欠掺杂PrCeCuO（x=0.12）薄膜在低至20mK温度下的磁阻随温度和磁场的变化关系。这使我们能够触及欠掺杂侧超导穹顶的边缘。随着氧含量的增加，薄层电阻增大，而超导转变温度则持续下降至零。在施加不同磁场以抑制超导电性时，我们发现薄层电阻随温度降低而增大，并在极低温度下趋于饱和。这些结果连同磁阻行为，既不能用零温二维超导体-绝缘体相变来描述，也不能简单地归因于铜氧平面内自旋散射引起的近藤效应。我们推测，由于接近反铁磁相，会诱导出磁滴。这导致了负磁阻和电阻率的上翘。
引用
@article{arxiv.1008.1682,
title = {On the resistivity at low temperatures in electron-doped cuprate superconductors},
author = {S. Finkelman and M. Sachs and J. Paglione and G. Droulers and P. Bach and R. L. Greene and Y. Dagan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.1682},
year = {2015}
}
备注
Accepted in Phys. Rev. B