母体铜氧化物 Pr$_{2}$CuO$_{4\pm\delta}$ 薄膜中的可调超导性

本文研究了通过聚合物辅助沉积方法制备的 Pr$_{2}$CuO$_{4\pm\delta}$ 薄膜中氧的作用。我们系统考察了 Pr$_{2}$CuO$_{4\pm\delta}$ 样品的磁电阻与霍尔电阻率。发现随着氧含量降低，低温霍尔系数（$R_H$）和磁电阻由负变正，类似于 R$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$（R= La, Nd, Pr, Sm, Eu）中 Ce 掺杂浓度增加时的行为。此外，Pr$_{1-x}$LaCe$_{x}$CuO$_{4}$ 与 Pr$_{2}$CuO$_{4\pm\delta}$ 样品的 $T_c$ 对 $R_H$ 关系可相互重合。我们得出结论：由去氧诱导的掺杂电子是 $T^\prime$-相母体化合物超导性的根源。