重掺杂La2-xSrxCuO4的负霍尔系数
超导电性
2009-11-11 v2
摘要
研究了精心制备的La_2-x_Sr_x_CuO_4_薄膜在x=0.08至x=0.40范围内沿面内方向的霍尔系数(R_H)。发现当x≥0.24时,R_H在室温附近几乎与温度无关,其符号在x=0.28和0.32之间从正平滑地变为负,这与先前报道的结果形成对比。这一结果表明,载流子可以平滑地跨越空穴主导区掺杂至电子主导区。根据R_H的符号变化,超导性在x≥0.32的薄膜中消失,这表明正的R_H是p型铜氧化物超导的必要条件之一。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605720,
title = {Negative Hall coefficients of heavily overdoped La2-xSrxCuO4},
author = {I. Tsukada and S. Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605720},
year = {2009}
}
备注
13 pages including 4 color figures (eps files), submitted to PRB