基于电阻率测量的反应溅射 Mn3GaN 薄膜优化
材料科学
2025-01-08 v1
摘要
具有反钙钛矿结构的锰基氮化物具有多种可用于反铁磁自旋电子学的性质。其磁性取决于立方反钙钛矿结构的结构质量、成分和掺杂。此类氮化物薄膜通常通过反应物理气相沉积制备，其中 N 的沉积速率只能通过 N2 气体流量来控制。我们表明，可以使用低温电阻率测量来优化 N 含量的调节，该测量可作为结构无序程度的指标。通过在不同 N2 气体流量下的反应磁控溅射制备了几种 Mn3GaNx 薄膜。在优化条件下，我们获得的薄膜表现出类金属温度依赖性，电阻率向零的对数增长趋于消失，具有最高的电阻率比，并且在加热高于 Néel 温度时沿生长方向发生 0.4% 的晶格收缩，这与块体样品一致。
引用
@article{arxiv.2405.01203,
title = {Optimization of reactively sputtered Mn3GaN films based on resistivity measurements},
author = {Christoph Sürgers and Gerda Fischer and Sihao Deng and Dongmei Hu and Cong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.01203},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 5 figures, 43 references