通过磁控溅射合成 ReN3 薄膜
材料科学
2012-11-09 v1
摘要
最近报道了一种铼和氮之间的新型化合物，其成分被宣布为 ReN2。该化合物是通过高温高压方法合成的。我们发现，在假设薄膜在衬底上取向的前提下，该化合物的衍射峰与铼氮薄膜的 X 射线图谱一致。该薄膜是在室温下通过反应磁控溅射制备并沉积在硅片上的。通过对衍射图的分析可以得出结论，这两种材料具有相同的结构。通过密度泛函计算发现，其成分可能是 ReN3，而非此前声称的 ReN2。ReN3 属于 Ama2 (40) 正交空间群，并且由于 N3 阴离子的存在，它应被归类为叠氮化物，即一种富氮化合物。通过溅射达到高氮浓度的一个关键步骤是靶中毒。在这种沉积机制下，确保了化合物同时在衬底和靶材上形成。中毒靶材由于溅射产额降低而很少被使用，但正如我们将看到的，它可以作为一种新颖的合成技术。
引用
@article{arxiv.1211.1698,
title = {Synthesis of ReN3 thin films by magnetron sputtering},
author = {G. Soto and H. Tiznado and W. de la Cruz and A. Reyes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1698},
year = {2012}
}
备注
8 figures