多层磁控溅射制备掺铒As2S3薄膜的特性与光学性质
材料科学
2018-03-19 v1
摘要
采用多层磁控溅射法制备了掺铒的As2S3薄膜。通过反射光谱测量了其光学性质，并利用X射线光电子能谱、Rutherford背散射能谱和Raman光谱分析了其化学成分。结果表明，折射率和吸收系数与溅射As2S3薄膜高度吻合，且薄膜中未检测到Er-S团簇和光致As2O3。Rutherford背散射能谱表明薄膜是均匀的，并揭示了铒的浓度水平和薄膜的化学计量比。该沉积方法被用于制造集成掺铒As2S3 Mach-Zehnder干涉仪，当用1488 nm二极管激光器泵浦时，其发射的绿色发光表明波导中存在活性铒离子。该方法极具吸引力，因为掺杂工艺能够生成接近As2S3理想化学计量比的Er:As2S3薄膜，从而在刚沉积的薄膜暴露于环境中时，降低了光分解As2O3晶体在表面形成的风险。
引用
@article{arxiv.1803.06055,
title = {Characterization and Optical Properties of Erbium doped As2S3 Films Prepared by Multi-layer Magnetron Sputtering},
author = {Wee Chong Tan and William T. Snider and Yifeng Zhou and Jaehyun Kim and Xiaomin Song and Travis James and Christi Madsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.06055},
year = {2018}
}
备注
18 pages and 7 figures